半導(dǎo)體晶圓制造過(guò)程中，超純水的純度要求極-致嚴(yán)苛，水中痕量有機(jī)碳?xì)埩魰?huì)吸附在晶圓表面，影響光刻、蝕刻等關(guān)鍵工藝，直接導(dǎo)致芯片良率下降。我們的TOC分析儀（電導(dǎo)率法），以ppb級(jí)高靈敏度檢測(cè)能力，專(zhuān)為半導(dǎo)體超純水監(jiān)測(cè)打造，精準(zhǔn)捕捉痕量有機(jī)碳，為半導(dǎo)體精密制造保駕護(hù)航。

極-致靈敏度，捕捉痕量隱患。半導(dǎo)體超純水對(duì)TOC含量要求極-高，通常需控制在1ppb以下。我們的分析儀檢測(cè)范圍覆蓋0.001mg/L~1.600mg/L（1ppb~1600ppb），示值誤差僅±5%，重復(fù)性RSD≤2%，能精準(zhǔn)捕捉超純水中的痕量有機(jī)碳，遠(yuǎn)超行業(yè)監(jiān)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。采用雙波長(zhǎng)高效氧化技術(shù)，185nm+254nm紫外燈產(chǎn)生強(qiáng)氧化性自由基，確保有機(jī)物徹-底氧化，結(jié)合差值電導(dǎo)率檢測(cè)，徹-底消除無(wú)機(jī)碳干擾，每一組數(shù)據(jù)都精準(zhǔn)可靠。